(۳‑۲)
(۳‑۳)
پرمابیلیته مختلط
بر اثر القای جریانات گردابی در هسته، نفوذپذیری مغناطیسی با افزایش فرکانس کاهش مییابد. در تحقیقاتی که در سالهای جلوتر بر روی مدل سازی ترانسفورماتورها انجام میگرفت، معمولا اثر هسته در فرکانسهای بالاتر از پنجاه کیلوهرتز نادیده گرفته میشد ولی تحقیقات جدید که در مراجع[۸, ۴۷, ۴۸] به عمل آمده، نشان داده شده است که در فرکانسهای خیلی بالاتر و در حد مگاهرتز هم نمی توان اثر هسته را نادیده گرفت.
برای سادهسازی در مدلسازی ورقهها، هسته بصورت پیوسته در نظر گرفته می شود و شار در جهت طولی در درون ورقهها عبور می کند. همچنین با یک ضریب، ورقههای هسته بصورت یک ورقه تبدیل شده و میتوان تمام روابط مربوط به نفوذپذیری مختلط یک ورقه را برای مجموعه ورقههایانباشتشده در نظر گرفت. این ضریب معمولا بین ۰۹۵/ تا ۹۸/۰ میباشد که به ضریب تورق[۶۵] معروف است. با توجه به توضیحات در پیوست الف، نفوذپذیری مختلط[۶۶] موثر را میتوان در رابطه (۳‑۴) مشاهده کرد[۸, ۴۶].
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))
(۳‑۴)
در معادله فوق ضخامت هر ورقه هسته، ثابت انتشار[۶۷] و ضریب تورق است.
شکل شکل ۳‑۴ میزان نفوذپذیری مغناطیسی را بصورت تابعی از فرکانس برای یک هسته با ضخامت ورقه ۳۵/۰ میلیمتر و نفوذپذیری اولیه ۳۰۰ نشان میدهد که مقادیر حقیقی و موهومی آن با لحاظ نمودن ضریب تورق ۹۶/۰ در شکل زیر نشان داده شده است.
شکل ۳‑۴: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس
نکته دیگری که در مورد اندوکتانس باید توجه داشت، وارد کردن تلفات هسته بصورت یک عنصر مداری به مدل متمرکز ترانسفورماتور میباشد. با توجه به اینکه جنس تلفات را معمولا با یک مقاومت مدل می کنند، در نتیجه یک مقاومت مبین تلفات هسته باید وارد مسئله گردد. از اندوکتانس برای مدلسازی مقاومت مبین تلفات هسته استفاده خواهد شد. در نتیجه اندوکتانس سیمپیچ به همراه تلفات هسته را میتوان در غالب یک امپدانس[۶۸] دید که معادله (۳‑۵) این قضیه را بیان مینماید[۴۹].
(۳‑۵)
در رابطه فوق، عبارت بیانگر تلفات هسته میباشد که بصورت سری با اندوکتانس قرار خواهد گرفت. عبارت هم مولفه مغناطیسی اندوکتانس خودی البته با هسته هوایی میباشد.
اندوکتانس نشتی
با افزایش فرکانس اثر اندوکتانس نشتی قابل توجه خواهد بود. بنابراین نیاز است تا اندوکتانس نشتی برای رنج فرکانسی محاسبه شود. شار نشتی در فاصله هوایی بین سیمپیچ فشارقوی و فشارضعیف متمرکز میباشد. رلوکتانس نشتی طبق معادله (۳‑۶) شامل دو قسمت میباشد؛ یک قسمت مربوط به هستهمغناطیسی و قسمت دیگر مربوط به پنجرههسته میباشد[۵۰].
(۳‑۶)
[چهارشنبه 1401-04-15] [ 06:06:00 ق.ظ ]
|